Descrição Geral
MODULO IGBT CM150DU-12F POWEREX
Informações:
Polaridade do Transistor : Canal N
Corrente de Coletor DC : 150A
Tensão de Saturação do Emissor de Coletor Vce (on) : 600V
Dissipação de energia Pd : 520W
Voltagem do Emissor Coletor V (br) ceo : 600V
Estilo da Caixa do Transistor : Módulo Não de pinos : 7 pinos
Temperatura de operação Max : 150 ° C
Gama de produtos : Série F
outros:
IGBT 200 A 600 V POWERCUT 1500 - ESAB - 0708629
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Detalhes
Modelo:
CM150DU-12F
Referência:
8008